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　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
st多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
ActiveProtect能够满足企业多站点部署的需求，并且支持不可变备份、Air-gap、源端数据重删技术，为企业的备份系统提供了更高的安全保障，并且提升管理效率。

CoolMOSS7TA 功率晶体管的优化利用不仅确保了出色的性能，还实现了对输出级的精准控制。这种精准度是降低功耗和能源成本的关键，也是汽车应用中亟需解决的问题，因为效率直接转化为汽车的续航里程和运行经济性。与传统的机电式继电器相比，CoolMOS? S7TA的总功耗实现了大幅降低。
　　针对这一亟待解决的问题，芯擎科技推出工业级 “龍鹰一号” 7nm AIoT应用处理器SE1000-I，瞄准国产高端工业边缘计算和机器人应用，为市场提供了更高性能、更安全、高速接口更丰富的高端应用处理器，既满足了工业环境苛刻的运行条件，也符合新兴市场对工业级高性能计算的需求.
st　　近年来，随着电子设备的小型化和高功能化，电路板电路的高密度化和IC的使用数量也不断增加。但是，由此导致IC产生的开关电源(5)噪声通过电缆和电路板布线传播，或者作为不必要的电磁波发射到空气中，这可能会导致周围电子设备发生误动作或功能下降。为了实现安全、放心、舒适的电子设备使用环境，需要针对开关电源采取噪声对策。
　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
　　在工业环境中，通过这些收发器无线连接设备具有安全电流隔离和防尘防潮等优点。这两款收发器芯片也非常适合雷达、激光雷达等机械旋转设备和仪器，以及机械臂等移动设备。由于没有机械磨损，芯片的使用寿命不受转数的限制，因此，工作可靠性高于滑环，特别是在高数据速率传输中，成本低于光纤旋转接头（FORJ）。

u-blox XPLR-IOT-1包含开箱即用体验所需的各种元素，包括嵌入式SIM卡，内含u-blox MQTT Anywhere和MQTT Now试用帐户，可连接Thingstream物联网服务交付平台。只需几个初始手动步骤，该套件就能将数据发布到云端，并演示完整的端到端解决方案。
st　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。
　　OIS是光学图像防抖稳定系统的简称，在摄像行业有比较广泛的应用，主要作用于数码相机、手机摄像头等，通过物理技术来实现镜头与机身产生抖动方向的补偿，使拍摄画面变得稳定。相较于传统的集成式OIS产品，MSD4100WA提供了更低成本的解决方案，通过内部集成的线性霍尔传感器替代了原有的高成本TMR/GaAs位置传感器，同时硬件PID电路的实现也省去了内部集成的MCU，从而大大降低了整体的硬件成本。
　　AL1783Q 产品符合汽车规格* ，符合 AEC-Q100 标准，在 IATF 16949 的工厂中制造，并支持 PPAP 文件。AL1783Q 采用节省空间的 TSSOP-16EP (5.1mm x 6.6mm) 封装，以 2,500 件为单位供应。