würth

　　在创新和技术领域再次迈出一大步，ITECH的 IT6600直流电源系列系列重新定义了高功率密度的概念。这一系列在仅占用3U机架空间的紧凑设计中，提供了高达42kW的功率输出，进一步提高了功率密度，显著节省了实验室空间，同时极大地提升了工程师的工作便利性和效率。IT6600系列不仅满足了高功率测试的需求，而且在操作便捷性方面也做到了优化，尤其适合那些对空间效率有高要求的集成系统环境。
würth　　BC68R2123工作电压为2.2V~3.6V；MCU具有1K×14 OTP Memory、64×8 RAM、2组Timer等系统资源。RF发射功率达+13dBm，射频特性符合ETSI/FCC规范，支持OOK/FSK调制，传输速率0.5kbps~50kbps。采用16NSOP-EP封装，具备9个GPIO。
　　电动汽车的发展带来了更加复杂且多元化的汽车电子系统，汽车各个模块之间的通讯也越来越频繁和密集。随着智能座舱主控芯片5nm工艺节点的成熟量产，更先进工艺制程的4nm甚至3nm平台芯片已问世，更先进的工艺意味着数字接口的电平越来越低，而平台外部模块的端口电平暂不支持低压接口，会存在IO电平不兼容的问题，对于信号的传输及通讯往往需要电平转换来实现。

新型固态电池的能量密度是 TDK 传统固态电池的100倍。TDK 的目标是开发可用于各种可穿戴设备（如无线耳机、助听器、智能手表）的新型固态电池，以取代现有的纽扣电池。
　　Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压器具有更大优势。
würth　　RA2A2 MCU助力传统系统的数字化，主要功能包括模拟感测、FOTA支持、8KHz/4KHz混合采样和AES硬件加速器。终端系统数字化后，可无缝分析各个系统的状态，从而进一步提高能效，简化系统操作。例如，具备非侵入式负载管理（NILM）技术的下一代智能电表能够根据对总负载电流和电压的详细分析来监控能耗。采用NILM技术的智能电表已成为提高能效和降低能耗，成本效益与可扩展性的解决方案之一。
　　TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。
　大视野智能外屏是三星Galaxy Z Flip6个性化和高效交互体验升级的核心。用户现在可以利用新增的互动壁纸、文生图壁纸，将自己的专属风格延伸到外屏中。同时Galaxy AI还能分析用户的壁纸并给出合理的布局建议，为手机的整体美观度增色。不仅如此，建议回复功能和更丰富的小组件的加入，让用户可以在忙碌的情况下，无需展开手机与复杂的操作，即可通过外屏快速回复信息或是查看相关内容，给日常生活带来更多便利。

　　选择正确的栅极驱动器对于实现功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。
würth　　具体而言，SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管，在正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置，为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。
　　同时，GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块，采用SOT-227封装，每个组件的正向电流分别为110A和214A，能够满足更高功率输出的需求。
该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的DPAK封装的引脚对引脚兼容设计。
　　ALMA-B1和NORA-B2专为PSA 3级而设计，可提供更高水准的物联网安全性。除了安全启动、安全存储、安全调试接口和硬件加密加速器等功能之外，还提供了物理篡改检测和旁道攻击防护等新一代安全功能。