winbond芯片

与同系列中的工业级产品一样，车规级 CoolMOS? S7TA 尤其适合固态继电器（SSR）应用。它具有出色的RDS(on) 和传感精度，这对于依赖高效功率管理解决方案的各种汽车电子设备至关重要。超级结MOSFET与嵌入式温度传感器集成在同一封装中，提高了固态继电器的性能，即便在非常严峻的过载条件下也能可靠运行，这对于可靠性要求极高的汽车应用来说是必要的。
winbond芯片　　Bourns 通过四种 DIN 导轨安装设备系列为交流或直流电源轨提供 IEC 级电涌保护。
　　1270 系列交流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-11 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。
　　1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。
　　所有产品均基于 MOV，并提供故障指示窗口和远程警报输出。
　　OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构，实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数，为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。

　　本工具搭载了AI功能，可以对多个组件探索参数的合理解决方案，通过详细计算，在实现电动车数字孪生化的同时，对各种电机、逆变器、电池、车体等如何组合能实现高效率进行多样化提案。为此，可以在开发初期，对电动车的整体特性进行商讨。
OPTIGA Authenticate NBT通过使用NFC（近场通信）技术，为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利，实现该场景下，对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。
winbond芯片　　出色的能效：美光 HBM3E 功耗比竞品低约 30%， 处于行业领先地位。为支持日益增长的人工智能需求和用例，HBM3E 以更低功耗提供更大吞吐量，从而改善数据中心的主要运营支出指标。
该产品系列包括CoolGaN Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5×6和PQFN 6×8 封装）和CoolGaNDrive HB 650 V G5器件（集成了两个晶体管及高边和低边栅极驱动器，采用 LGA 6×8 封装）。新产品系列实现了更高的效率、更小的系统尺寸和更低的总成本，适用于续航时间较长的电动自行车、便携式电动工具，以及吸尘器、风扇和吹风机等重量较轻的家用电器。
　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。

　　NORA-W4提供6种不同型号：open CPU或u-connectXpress型号、天线引脚或PCB天线型号，以及4MB或8MB闪存型号。NORA-W4目前已开始提供早期样品，计划于2024年下半年量产。
winbond芯片　　凭借先进的图形处理能力，英特尔车载独立显卡可支持高保真视觉效果和复杂的 3D 人机界面（HMI），为用户带来流畅、身临其境的 3A游戏大作，反应灵敏、支持情境感知的AI助手，与沉浸式的 3D 人机界面。对于当今消费者渴望获得无缝衔接、增强交互式体验、引人入胜的车载娱乐系统的市场来说，这些都是至关重要的进步。
　　借助独特的绕线结构和制造工艺，这些变压器实现了高于传统平面变压器的铜填充因子，因此在封装尺寸、效率和功率密度方面都有所改进。SGTPL-2516系列的绕线技术便于根据特定的设计需求调整工作电压、感值、功率、封装尺寸和高度，无需支付前期的工具费用。除了MIL-STD-981标准S级A组和B组筛选外，这些器件还提供P级筛选，用于设计验证测试和其他的定制筛选选项。
　　BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10×10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。